檢索結果：共3筆資料 檢索策略： "Kuang-Hua Fuh".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="化學機械拋光"
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摘要 本文旨在建立結合分子靜力學與變形理論，而提出分子靜力學是以莫氏力建立模擬系統，模擬CMP粒子的加工行為。本文對奈米加工參數設定方面，是利用六方最密排列的鑽石研磨粒切削完美面心立方體銅，應用二…
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本研究先建立室溫下不同體積濃度之無花紋研磨墊化學機械拋光矽晶圓的研磨移除深度理論模擬模式。我們將矽晶圓浸泡在常溫下不同體積濃度研磨液後,接著進行原子力顯微鏡實驗,計算得出浸泡室溫不同體積濃度…
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本文旨在應用灰色理論、田口實驗方法與製程統計分析等之理論於記憶體模組除料製程之品質改善與化學機械拋光參數分析。 本文首先使用變異數分析與灰關聯理論分析，探討田口實驗計劃法之CMP實驗數據:如拋光正向…